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HM3E65728BN-6:D

更新时间: 2024-11-08 20:41:55
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PDIP24,

HM3E65728BN-6:D 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T24内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HM3E65728BN-6:D 数据手册

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