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HM365788K-5

更新时间： 2024-09-20 20:23:59

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	106K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDIP22,

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HM365788K-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T22
JESD-609代码：	e0	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	22	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16KX4	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP22,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HM365788K-5 数据手册

MATRA MHS

HM 65788

16 K × 4 High Speed CMOS SRAM

Introduction

The HM 65788 is a high speed CMOS static RAM Easy memory expansion is provided by an active low chip

organized as 16384 × 4 bits. It is manufactured using select (CS) and three state drivers.

MHS’s high performance CMOS technology.

All inputs and outputs of the HM 65788 are TTL

Access times as fast as 15 ns are available with maximum compatible and operate from single 5 V supply thus

power consumption of only 633 mW.

simplifying system design.

The HM 65788 features fully static operation requiring no The HM 65788 is 100 % processed following the test

external clocks or timing strobes. The automatic methods of MIL STD 883 and/or ESA/SCC 9000 making

power-down feature reduces the power consumption by it ideally suitable for military/space applications that

60 % when the circuit is deselected.

demand superior levels of performance and reliability.

Features

D Fast access time

D 300 mils width package

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

Commercial : 15/20/25/35/45 ns

Industrial/military : 20/25/35/45/55 ns

D Low power consumption

Active : 267 mW (typ)

D Capable of withstanding greater than 2000 V electrostatic

discharge

Standby : 75 mW (typ)

D Single 5 volt supply

D Wide temperature range :

–55°C to + 125°C

Interface

Block Diagram

Rev. C (16/12/94)

12 3 4 5 6 7...9

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与HM365788K-5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM365788K-5:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDIP22,
HM3-65788K-5+	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDIP22,
HM3-65788K-8	ETC	获取价格	HIGH SPEED CMOS SRAM
HM365788K-9	ETC	获取价格	x4 SRAM
HM365788K-9:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDIP22,
HM3-65788K-9+	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDIP22,
HM3-65788M-2	ETC	获取价格	HIGH SPEED CMOS SRAM
HM3-65788M-5	ETC	获取价格	HIGH SPEED CMOS SRAM
HM365788M-5	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDIP22,
HM365788M-5:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, PACKAGE-22

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