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HM065767BN-2:D

更新时间: 2024-11-09 10:43:55
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 68K
描述
Standard SRAM, 16KX1, 55ns, CMOS,

HM065767BN-2:D 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-XUUC-N20内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16KX1输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER

HM065767BN-2:D 数据手册

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