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HM0-65767H-5

更新时间: 2024-01-11 23:47:24
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 435K
描述
x1 SRAM

HM0-65767H-5 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7Is Samacsys:N
最长访问时间:25 nsI/O 类型:SEPARATE
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX1输出特性:3-STATE
封装等效代码:DIE OR CHIP并行/串行:PARALLEL
电源:5 V最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
Base Number Matches:1

HM0-65767H-5 数据手册

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