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HM0-65767N-5+

更新时间: 2024-01-20 13:50:59
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 248K
描述
x1 SRAM

HM0-65767N-5+ 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7最长访问时间:40 ns
I/O 类型:SEPARATE内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16KX1
输出特性:3-STATE封装等效代码:DIE OR CHIP
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
最大待机电流:0.03 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V技术:CMOS
温度等级:COMMERCIALBase Number Matches:1

HM0-65767N-5+ 数据手册

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