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HM0-65767H-8

更新时间: 2024-09-22 06:06:27
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 447K
描述
Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS,

HM0-65767H-8 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7最长访问时间:25 ns
I/O 类型:SEPARATE内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16KX1
输出特性:3-STATE封装等效代码:DIE OR CHIP
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流:0.03 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.08 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V技术:CMOS
温度等级:MILITARY

HM0-65767H-8 数据手册

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