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HFA180NH40PBF

更新时间： 2024-09-16 05:35:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管局域网超快软恢复二极管
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7页 130K
描述
HEXFRED® Ultrafast Soft Recovery Diode, 180 A

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HFA180NH40PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：R-PUFM-X1Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.44
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PUFM-X1元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：180 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.14 µs表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

HFA180NH40PBF 数据手册

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HFA180NH40PbF  
Vishay High Power Products  
HEXFRED®  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 180 A  
FEATURES  
• Very low Qrr and trr  
• Lead (Pb)-free  
• Designed and qualified for industrial level  
Lug terminal  
anode  
RoHS  
COMPLIANT  
BENEFITS  
• Reduced RFI and EMI  
• Reduced snubbing  
Base  
cathode  
HALF-PAK (D-67)  
DESCRIPTION  
HEXFRED® diodes are optimized to reduce losses and  
EMI/RFI in high frequency power conditioning systems. An  
extensive characterization of the recovery behavior for  
different values of current, temperature and dI/dt simplifies  
the calculations of losses in the operating conditions. The  
softness of the recovery eliminates the need for a snubber in  
most applications. These devices are ideally suited for  
power converters, motors drives and other applications  
where switching losses are significant portion of the total  
losses.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
VR  
F(DC) at TC  
180 A  
400 V  
I
200 A at 100 °C  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
400  
395  
200  
1200  
1.4  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
VR  
V
TC = 25 °C  
Continuous forward current  
IF  
TC = 100 °C  
A
Single pulse forward current  
IFSM  
EAS  
Limited by junction temperature  
L = 100 µH, duty cycle limited by maximum TJ  
TC = 25 °C  
Non-repetitive avalanche energy  
mJ  
W
657  
263  
Maximum power dissipation  
PD  
TC = 100 °C  
Operating junction and storage  
temperature range  
TJ, TStg  
- 55 to + 150  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Cathode to anode  
breakdown voltage  
VBR  
IR = 100 µA  
400  
-
-
IF = 180 A  
IF = 360 A  
-
-
-
1.08  
1.22  
0.99  
1.46  
1.8  
V
Maximum forward voltage  
VFM  
See fig. 1  
IF = 180 A, TJ = 125 °C  
TJ = 125 °C, VR = 400 V  
VR = 200 V  
1.34  
Maximum reverse  
leakage current  
IRM  
See fig. 2  
See fig. 3  
-
-
4
mA  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
-
-
370  
6.0  
500  
-
pF  
nH  
From top of terminal hole to mounting plane  
Document Number: 94061  
Revision: 01-Aug-08  
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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