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HFA04SD60TRRPBF

更新时间： 2024-09-16 20:37:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 超软恢复二极管高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 120K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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HFA04SD60TRRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.66其他特性：FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用：ULTRA SOFT RECOVERY HIGH POWER配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：25 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：10 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.042 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HFA04SD60TRRPBF 数据手册

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HFA04SD60SPbF  
Vishay High Power Products  
HEXFRED®  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 4 A  
FEATURES  
• Ultrafast recovery time  
• Ultrasoft recovery  
• Very low IRRM  
Available  
2
RoHS*  
COMPLIANT  
• Very low Qrr  
• Guaranteed avalanche  
• Specified at operating temperature  
• Lead (Pb)-free  
1
N/C  
3
• Designed and qualified for Q101 level  
D-PAK  
Anode  
BENEFITS  
• Reduced RFI and EMI  
• Reduced power loss in diode and switching transistor  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
PRODUCT SUMMARY  
• Reduced parts count  
VR  
VF at 4 A at 25 °C  
IF(AV)  
600 V  
1.8 V  
4 A  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
These diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI  
in high frequency power conditioning systems. The softness  
of the recovery eliminates the need for a snubber in  
most applications. These devices are ideally suited for  
freewheeling, flyback, power converters, motor drives, and  
other applications where high speed and reduced switching  
losses are design requirements.  
t
rr (typical)  
17 ns  
150 °C  
TJ (maximum)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
600  
V
Maximum continuous forward current  
Single pulse forward current  
TC = 100 °C  
4
25  
16  
A
Repetitive peak forward current  
Maximum power dissipation  
IFRM  
TC = 116 °C  
TC = 100 °C  
PD  
10  
W
Operating junction and storage temperatures  
TJ, TStg  
- 55 to 150  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 µA  
600  
-
-
IF = 4 A  
IF = 8 A  
-
-
-
-
-
-
-
1.5  
1.8  
1.4  
0.17  
44  
1.8  
2.2  
1.7  
3.0  
300  
8
V
Forward voltage  
See fig. 1  
VF  
IF = 4 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Maximum reverse  
leakage current  
IR  
µA  
TJ = 125 °C, VR = 0.8 x VR rated  
VR = 200 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
4
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 94034  
Revision: 29-Jul-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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