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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> HER507G-B
HER507G-B PDF预览

HER507G-B

更新时间： 2024-01-23 14:32:08
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 34K
描述
Rectifier Diode,

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HER507G-B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.3其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.075 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

HER507G-B 数据手册

 浏览型号HER507G-B的Datasheet PDF文件第2页 
HER501  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
HER508  
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 5.0 Ampere  
FEATURES  
* Low power loss, high efficiency  
* Low leakage  
* Low forward voltage drop  
* High current capability  
* High speed switching  
* High reliability  
DO-201AD  
* High current surge  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
(
)
.052 1.3  
DIA.  
(
)
.048 1.2  
1.0 (25.4)  
MIN.  
* Weight: 1.20 grams  
.375 (9.5)  
.335 (8.5)  
(
)
.220 5.6  
DIA.  
(
)
.197 5.0  
1.0 (25.4)  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
HER501 HER502 HER503 HER504 HER505 HER505P HER506 HER507 HER508  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
100  
200  
300  
400  
400  
600  
800  
1000 Volts  
V
V
RRM  
RMS  
35  
50  
70  
140  
200  
210  
300  
280  
400  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
Volts  
Volts  
700  
100  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current  
I
O
5.0  
Amps  
Amps  
at TA  
= 50oC  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
200  
70  
150  
50  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
C
J
pF  
0 C  
T
J
, TSTG  
-65 to + 150  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
HER501 HER502 HER503 HER504 HER505 HER505P HER506 HER507 HER508  
CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 5.0A DC  
SYMBOL  
UNITS  
Volts  
VF  
1.0  
1.3  
1.0  
1.7  
Maximum DC Reverse Current  
10  
uAmps  
uAmps  
at Rated DC Blocking Voltage TA  
= 25oC  
I
R
Maximum Full Load Reverse Current  
150  
Average, Full Cycle .375” (9.5mm) lead length at TL  
= 55oC  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
75  
nSec  
50  
NOTES : 1. Test Conditions: I  
F
= 0.5A, IR = -1.0A, IRR = -0.25A  
2001-5  
2. Measured at 1 MH  
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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HER507G-T RECTRON

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