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HER507GC1

更新时间： 2024-02-23 13:37:58

品牌	Logo	应用领域
扬杰 - YANGJIE		功效二极管
页数	文件大小	规格书
4页	492K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-27, 2 PIN

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HER507GC1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	DO-27, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向电流：	2.5 µA	最大反向恢复时间：	0.075 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

HER507GC1 数据手册

RoHS

HER501G THRU HER508G

COMPLIANT

High Efficient Rectifier

Features

● High efficiency

● High current capability

● High Reliability

● High surge current capability

● Glass passivated chip junction

● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106

Mechanical Data

● Package: DO-201AD(DO-27)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability

rating, RoHS-compliant

● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-

002 and JESD22-B102

●

Color band denotes cathode end

Polarity:

(Ta=25℃ Unless otherwise specified）

■Maximum Ratings

HER501 HER502 HER503 HER504 HER505 HER506 HER507 HER508

PARAMETER

SYMBOL UNIT

HER501 HER502 HER503 HER504 HER505 HER506 HER507 HER508

Device marking code

V_RRM

100

200

300

400

600

800

1000

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Forward Current

@60Hz sine wave, Resistance load, Ta=50℃

I_F(AV)

5.0

Forward Surge Current(Non-repetitive)

@60Hz Half-sine wave, 1 cycle, Ta=25℃

I_FSM

150

℃

-55 ~+150

-55~+150

Storage Temperature

Junction Temperature

stg

（T =25℃ Unless otherwise specified）

■Electrical Characteristics

HER501 HER502 HER503 HER504 HER505 HER506 HER507 HER508

PARAMETER

SYMBOL

UNIT TEST CONDITIONS

Maximum instantaneous

forward voltage drop per diode

V_FM

I_FM=5.0A

1.0

1.3

1.7

I_RRM1

I_RRM2

T =25℃

2.5

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

per diode

μA

T =100℃

150

I_F=0.5A I_R=1A

I_RR=0.25A

Reverse Recovery time

Typicaljunctioncapacitance

Measured at 1MHZ

and Applied Reverse

Voltage of 4.0 V.D.C.

Thermal Characteristics （T =25℃ Unless otherwise specified）

■

HER501G HER502G HER503G HER504G HER505G HER506G HER507G HER508G

PARAMETER

SYMBOL

UNIT

R_θ

Thermal Resistance(Typical)

J-A

℃/W

1 / 4

S-A288

Rev. 2.1, 21-Jan-15

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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与HER507GC1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HER507GD1	YANGJIE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-27, 2 PIN
HER507G-F	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
HER507GP-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER507GP-BP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER507GPT	CHENMKO	获取价格	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
HER507GP-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER507GP-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER507GR	SECOS	获取价格	Voltage 50 ~ 1000 V 5Amp Glass Passivated High Efficiency Rectifiers
HER507G-T	RECTRON	获取价格	暂无描述
HER507H32	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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