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HER508

更新时间： 2024-01-14 11:40:15
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DIOTECH 二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 848K
描述
HIGH EFFICIENT SILICON RECTIFIER

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HER508 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.24
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

HER508 数据手册

 浏览型号HER508的Datasheet PDF文件第2页 
HER501 THRU HER508  
HIGH EFFICIENT SILICON RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts  
Forward Current - 5.0 Ampere  
FEATURES  
DO-201AD  
●
The plastic package carries Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
●
Ultra fast switching for high efficiency  
Low reverse leakage  
●
●
●
1.0 (25.4)  
MIN.  
High forward surge current capability  
High temperature soldering guaranteed:  
0.220(5.6)  
0.197(5.0)  
DIA.  
250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
0.375(9.5)  
0.285(7.2)  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC DO-201AD molded plastic body  
Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.052(1.3)  
0.048(1.2)  
DIA.  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight:0.04 ounce, 1.10 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
HER  
501  
HER  
502  
HER  
503  
HER  
504  
HER  
505  
HER  
506  
HER  
507  
HER  
508  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
RRM  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
RWM  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
300  
210  
400  
280  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
R
V
R(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
V
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
O
I
5.0  
@TA = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
FSM  
I
150  
A
FM  
Forward Voltage  
@IF = 5.0A  
V
1.0  
1.3  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
@TA = 25°C  
10  
100  
RM  
I
µA  
At Rated DC Blocking Voltage @TA = 100°C  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
Operating Temperature Range  
rr  
t
50  
75  
75  
50  
nS  
pF  
°C  
°C  
j
C
j
T
-65 to +150  
-65 to +150  
STG  
T
Storage Temperature Range  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case  
2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. See figure 5.  
3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
12

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