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HER303G

更新时间: 2024-09-17 20:21:51
品牌 Logo 应用领域
SURGE 功效二极管
页数 文件大小 规格书
2页 1693K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

HER303G 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:8 weeks
风险等级:5.61Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:EFFICIENCY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:DO-201AD
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流:125 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:10 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

HER303G 数据手册

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