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HER303G-T PDF预览

HER303G-T

更新时间： 2024-09-17 21:17:31
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
2页 30K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

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HER303G-T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.61
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：265
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HER303G-T 数据手册

 浏览型号HER303G-T的Datasheet PDF文件第2页 
HER301G  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
HER308G  
HIGH EFFICIENCY  
GLASS PASSIVATED RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Ampere  
FEATURES  
* Glass passivated junction  
* Low power loss, high efficiency  
* Low leakage  
* Low forward voltage drop  
* High current capability  
* High speed switching  
* High reliability  
DO-201AD  
* High current surge  
MECHANICAL DATA  
(
)
.052 1.3  
* Case: Molded plastic  
DIA.  
(
)
.048 1.2  
1.0 (25.4)  
MIN.  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
.375 (9.5)  
.335 (8.5)  
* Weight: 1.20 grams  
(
)
.220 5.6  
DIA.  
(
)
.197 5.0  
1.0 (25.4)  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
HER301G HER302G HER303G HER304G HER305G HER306G HER307G HER308G  
UNITS  
SYMBOL  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
100  
200  
300  
400  
600  
800  
1000 Volts  
V
V
RRM  
RMS  
35  
50  
70  
140  
200  
210  
300  
280  
400  
560  
800  
Volts  
Volts  
420  
600  
700  
100  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current  
3.0  
Amps  
Amps  
I
O
at TA  
= 50oC  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
200  
70  
150  
50  
I
FSM  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
pF  
0 C  
C
J
-55 to + 150  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
HER301G HER302G HER303G HER304G HER305G HER306G HER307G HER308G  
CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A DC  
SYMBOL  
UNITS  
Volts  
VF  
1.7  
1.0  
1.3  
Maximum DC Reverse Current  
uAmps  
uAmps  
10  
at Rated DC Blocking Voltage TA  
= 25oC  
I
R
Maximum Full Load Reverse Current  
150  
Average, Full Cycle .375” (9.5mm) lead length at TL  
= 55oC  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
75  
nSec  
50  
NOTES : 1. Test Conditions: I  
F
= 0.5A, IR = -1.0A, IRR =- 0.25A  
2003-1  
2. Measured at 1 MH  
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts  
12

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