生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DMA |
包装说明: | DIMM, DIMM72 | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 60 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N72 | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 72 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM72 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 25.4 mm | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.0008 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.64 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HB56TW432D-6A | HITACHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72 |
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HB56TW432D-6AL | HITACHI |
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Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72 |
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HB56TW432D-6BL | HITACHI |
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Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, MOS |
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HB56TW432D-6L | ETC |
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x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56TW432D-7 | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56TW432D-7A | HITACHI |
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Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, DIMM-72 |
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HB56TW432D-7BL | HITACHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, MOS |
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HB56TW432D-7L | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56TW432D-8AL | HITACHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 80ns, CMOS, DIMM-72 |
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HB56TW432D-8B | HITACHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 80ns, MOS |
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