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HB56TW432D-6BL

更新时间： 2024-02-11 11:09:29

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	87K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, MOS

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HB56TW432D-6BL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XZMA-N72
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	72
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	MOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	ZIG-ZAG	Base Number Matches：	1

HB56TW432D-6BL 数据手册

HB56TW432D Series

4,194,304-word × 32-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-

Rev. 0.0

Dec. 1, 1995

Description

The HB56TW432D is a 4 M × 32 dynamic RAM Small Outline DIMM (S.O.DIMM), mounted 8 pieces of

16-Mbit DRAM (HM51W16400BTS/ BLTS) sealed in TSOP package. An outline of the HB56TW432D is

72-pin Zig Zag Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, the HB56TW432D makes high

density mounting possible without surface mount technology. The HB56TW432D provides common data

inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside the each TSOP of its module board.

Features

•

72-pin

— Lead pitch: 1.27 mm

Single 3.3 V (± 0.3 V) supply

High speed

•

— Access time: 60 ns/70 ns/80 ns (max)

Low power dissipation

— Active mode: 2.30 W/2.02 W/1.87 W (max)

— Standby mode: 57.6 mW (max)

2.9 mW (max) (L-version)

Fast page mode capability

4,096 refresh cycle: 64 ms

128 ms (L-version)

•

4 variations of refresh

— RAS-only refresh

— CAS-before-RAS refresh

— Hidden refresh

— Self refresh (L-version)

TTL compatible

•

Test function

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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