5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIMM |
| 包装说明： | DIMM, DIMM72 | 针数： | 72 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 80 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XSMA-N72 |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 72 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX32 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM72 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 2048 | 座面最大高度： | 25.4 mm |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.008 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.72 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HB56TW433D-8BL | HITACHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 80ns, MOS, SIMM-72 |
|
| HB56U132B-6C | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HB56U132B-7C | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIP-72 |
|
| HB56U132SB-6C | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIP-72 |
|
| HB56U132SB-7C | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIP-72 |
|
| HB56U232B-6C | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U232B-7C | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U232BA-5N | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U232BA-5NL | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U232BA-6N | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
