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HB56U132B-7C

更新时间： 2024-01-06 01:52:37

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HB56U132B-7C 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	SIMM, SSIM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XSMA-N72	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装等效代码：	SSIM72	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.96 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

HB56U132 Series

1,048,576-word × 32-bit High Density Dynamic RAM Module

Description

The HB56U132 is a 1M × 32 dynamic RAM module, mounted 8 pieces of 4-Mbit DRAM (HM514405CS)

sealed in SOJ package.

An outline of the HB56U132 is 72-pin single in-line package. Therefore, the HB56U132 makes high density

mounting possible without surface mount technology. The HB56U132 provides common data inputs and

outputs. Decoupling capacitors are mounted beneath each SOJ on the module board.

The HB56U132 offers Extended Data Out (EDO) page mode as a high speed access mode.

Features

•

72-pin single in-line package

Lead pitch: 1.27 mm

•

Single 5 V (±5%) supply

High speed

Access time: t_RAC= 60/70 ns (max)

Low power dissipation

Active mode: 4.62/4.20 W (max)

Standby mode: 84 mW (max)

EDO page mode capability

1,024 refresh cycles: 16 ms

2 variations of refresh

•

RAS-only refresh

CAS-before-RAS refresh

TTL compatible

•

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