生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 80 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-XZMA-N72 |
内存密度: | 134217728 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 72 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | MOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | ZIG-ZAG |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HB56TW432D-8BL | HITACHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 80ns, MOS |
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HB56TW433D-5 | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56TW433D-5L | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56TW433D-6 | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56TW433D-6A | HITACHI |
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Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SODIMM-72 |
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HB56TW433D-6AL | HITACHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SODIMM-72 |
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HB56TW433D-6B | HITACHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, MOS, SIMM-72 |
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HB56TW433D-6BL | HITACHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, MOS, SIMM-72 |
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HB56TW433D-6L | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56TW433D-7 | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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