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H5PS1G83EFR-S6L

更新时间: 2024-09-16 13:08:07
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
63页 838K
描述
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60

H5PS1G83EFR-S6L 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA60,9X11,32
针数:60Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.7Is Samacsys:N
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST最长访问时间:0.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):400 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60JESD-609代码:e1
长度:11.4 mm内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:128MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA60,9X11,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:4,8
子类别:DRAMs最大压摆率:0.23 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:8 mm
Base Number Matches:1

H5PS1G83EFR-S6L 数据手册

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H5PS1G83EFR Series  
1Gb DDR2 SDRAM  
H5PS1G83EFR-xxC  
H5PS1G83EFR-xxI  
H5PS1G83EFR-xxL  
H5PS1G83EFR-xxJ  
[TBD]  
H5PS1G83EFR-xxP  
H5PS1G83EFR-xxQ  
H5PS1G83EFR-G7x  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.0 / Aug 2009  
1

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