是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 3 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX18 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装等效代码: | QFP100,.63X.87 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.51 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GVT71512C18T-6.7 | CYPRESS |
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256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM | |
GVT71512C18TA-4.4 | CYPRESS |
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256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM | |
GVT71512C18TA-5 | CYPRESS |
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256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM | |
GVT71512C18TA-5I | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
GVT71512C18TA-6 | CYPRESS |
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256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM | |
GVT71512C18TA-6.7 | CYPRESS |
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256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM | |
GVT71512C18TA-6.7I | CYPRESS |
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暂无描述 | |
GVT71512D18B-4.4 | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119 | |
GVT71512D18T-6.7 | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
GVT71512D18TA-6.7 | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |