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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PL |
| 包装说明： | TO-3PL, 3 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 60 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT60J321 | TOSHIBA |
获取价格 |
The 4th Generation Soft Switching Applications |
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| GT60J322 | TOSHIBA |
获取价格 |
The 4th Generation Soft Switching Applications |
|
| GT60J323 | TOSHIBA |
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Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
|
| GT60J323H | TOSHIBA |
获取价格 |
Current Resonance Inverter Switching Application |
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| GT60J323H(Q) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
|
| GT60M102 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 60 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| GT60M103 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 60 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| GT60M104 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| GT60M105 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 60 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| GT60M301 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS) |
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