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GSIB2560-E PDF预览

GSIB2560-E

更新时间： 2024-11-09 07:02:11
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海湾 - GULFSEMI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 140K
描述
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 600V to 1000V Current: 25.0A

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GSIB2560-E 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.19Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：600 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：350 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：600 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

GSIB2560-E 数据手册

 浏览型号GSIB2560-E的Datasheet PDF文件第2页 
GSIB2560-E THRU GSIB25100-E  
SINGLE PHASE GLASS  
PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER  
Voltage: 600V to 1000V  
Current: 25.0A  
GSIB-5S  
Features  
Glass passivated chip junction  
Ideal for printed circuit board  
High surge current capability  
High case dielectric strength  
This series is UL listed under Recognized Component Index,  
file number E185029  
Halogen Free  
Mechanical Data  
Terminal: Plated leads solderable per MIL-STD 202E,  
Method 208C  
Case: UL-94 Class V-0 recognized Halogen Free Epoxy  
Polarity: Polarity symbol marked on body  
Mounting position: any  
Dimensions in millimeters  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half -wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,  
for capacitive load, derate current by 20%)  
Symbol  
GSIB2560-E  
GSIB2580-E  
GSIB25100-E  
units  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
Vrrm  
Vrms  
Vdc  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
1000  
25.0  
3.5  
Maximum average forward  
Rectified output current at  
Tc = 98℃(Note 1)  
Ta = 25℃(Note 2)  
If(av)  
A
Peak forward surge current single sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Maximum instantaneous forward voltage drop per  
leg at 12.5A  
Ifsm  
Vf  
350  
1.0  
A
V
I2t  
500  
Rating for fusing (t < 8.3ms)  
A2Sec  
10.0  
350  
22.0  
1.0  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per leg  
Ta = 25°C  
Ta = 125°C  
Ir  
µA  
℃/W  
℃
Maximum thermal resistance per leg  
(Note2)  
(Note1)  
Rth(ja)  
Rth(jc)  
Tj, Tstg  
-55 to +150  
Operating junction and storage temperature range  
Note:  
1. Unit case mounted onAl plate heatsink  
2. Unit case mounted on P.C.B. with heatsink  
3. Recommended mounting position is to bolt down on heatsink with silicone thermal compound for maximum heat transfer with #6 screw  
Rev.A1  
www.gulfsemi.com  
12

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与GSIB2560-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GSIB2560E3 VISHAY

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 		DIODE 3.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 P
GSIB2560-E3 VISHAY

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 		Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB2560-E3/45 VISHAY

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 		Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB2560-E3/51 VISHAY

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 		DIODE 3.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2560-E3/72 VISHAY

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 		DIODE 3.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
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 		Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers

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