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GSIB2580/51

更新时间： 2024-09-18 19:42:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 221K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN

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GSIB2580/51 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T4针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：350 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

GSIB2580/51 数据手册

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GSIB2520 thru GSIB2580  
Vishay General Semiconductor  
Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers  
Major Ratings and Characteristics  
Case Style GSIB-5S  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
25 A  
200 V to 800 V  
350 A  
10 µA  
VF  
1.0 V  
Tj max.  
150 °C  
~
~
~
~
Features  
Mechanical Data  
• UL Recognition file number E54214  
Case: GSIB-5S  
• Thin Single In-Line package  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
• Glass passivated chip junction  
• High surge current capability  
Terminals: Matte tin plated (E3 Suffix) leads, solder-  
able per J-STD-002B and JESD22-B102D  
Polarity: As marked on body  
Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 inches-lbs) max.  
Recommended Torque: 5.7cm-kg (5 inches-lbs)  
• High case dielectric strength of 2500 V  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
RMS  
Typical Applications  
General purpose use in ac-to-dc bridge full wave rec-  
tification for Switching Power Supply, Home Appli-  
ances, Office Equipment, Industrial Automation  
applications  
Maximum Ratings  
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
GSIB2520  
200  
GSIB2540  
400  
GSIB2560  
600  
GSIB2580  
800  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRMS  
VDC  
140  
200  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
25(1)  
3.5(2)  
Maximum average forward rectified  
output current at  
T
C = 98 °C  
IF(AV)  
TA = 25 °C  
Peak forward surge current single sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
350  
A
I2t  
A2sec  
°C  
Rating for fusing (t < 8.3 ms)  
500  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Electrical Characteristics  
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Test condition  
at 12.5 A  
Symbol  
VF  
GSIB2520  
GSIB2540  
GSIB2560  
GSIB2580  
Unit  
V
Maximum instantaneous forward  
voltage drop per leg  
1.00  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per leg  
TA = 25 °C  
IR  
10  
350  
µA  
TA = 125 °C  
Document Number 88646  
21-Jul-05  
www.vishay.com  
1
1234

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与GSIB2580/51相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GSIB2580/51-E3 VISHAY

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 		DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2580/72 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN
GSIB2580/72-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2580-E GULFSEMI

获取价格

 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 600V to 1000V Current: 25.0A
GSIB2580-E3/45 VISHAY

获取价格

 		Diode Rectifier Bridge Single 800V 3.5A 4-Pin Case GSIB-5S Tube
GSIB2580-E3/51 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2580-E3/72 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2580N VISHAY

获取价格

 		Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB2580N-M3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS
GSIB25XX VISHAY

获取价格

 		Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers

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