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GSIB2080/45 PDF预览

GSIB2080/45

更新时间： 2024-11-27 14:33:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 201K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN

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GSIB2080/45 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.73Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：240 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最大输出电流：3.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GSIB2080/45 数据手册

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GSIB2020 thru GSIB2080  
New Product  
Vishay General Semiconductor  
Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers  
Major Ratings and Characteristics  
Case Style GSIB-5S  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
20 A  
200 V to 800 V  
240 A  
10 µA  
VF  
1.0 V  
Tj max.  
150 °C  
~
~
~
~
Features  
• UL Recognition file number E54214  
• Thin Single In-Line package  
Mechanical Data  
Case: GSIB-5S  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
• Glass passivated chip junction  
• High surge current capability  
Terminals: Matte tin plated (E3 Suffix) leads, solder-  
able per J-STD-002B and JESD22-B102D  
• High case dielectric strength of 2500 V  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Polarity: As marked on body  
Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 inches-lbs) max.  
Recommended Torque: 5.7cm-kg (5 inches-lbs)  
RMS  
Typical Applications  
General purpose use in ac-to-dc bridge full wave rec-  
tification for Switching Power Supply, Home Appli-  
ances, Office Equipment, Industrial Automation  
applications  
Maximum Ratings  
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
GSIB2020  
200  
GSIB2040  
400  
GSIB2060  
600  
GSIB2080  
800  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRMS  
VDC  
140  
200  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified  
output current at  
TC = 87 °C(1)  
TA = 25 °C(2)  
IF(AV)  
20  
3.5  
Peak forward surge current single sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
240  
A
I2t  
A2sec  
°C  
Rating for fusing (t < 8.3 ms)  
240  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Electrical Characteristics  
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Test condition  
at 10 A  
Symbol  
VF  
GSIB2020  
GSIB2040  
GSIB2060  
GSIB2080  
Unit  
V
Maximum instantaneous forward  
voltage drop per leg  
1.00  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per leg  
TA = 25 °C  
IR  
10  
250  
µA  
TA = 125 °C  
Document Number 88645  
12-Jul-05  
www.vishay.com  
1
1234

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与GSIB2080/45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GSIB2080/51 VISHAY

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN
GSIB2080/51-E3 VISHAY

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 		DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2080/72 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN
GSIB2080/72-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2080-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 P
GSIB2080-E3/45 VISHAY

获取价格

 		RECTFR BRIDGE SGL 800V 3.5A 4PIN CASE GSIB-5S - Rail/Tube
GSIB2080-E3/51 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2080-E3/72 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2080N-LF VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS
GSIB2080N-M3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode

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