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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> GSIB2080N-LF
GSIB2080N-LF PDF预览

GSIB2080N-LF

更新时间： 2024-11-09 13:08:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 104K
描述
DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GSIB-5S, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

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GSIB2080N-LF 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.66
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：800 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：240 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：800 V
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

GSIB2080N-LF 数据手册

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New Product  
GSIB2020 thru GSIB2080  
Vishay General Semiconductor  
Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers  
FEATURES  
• UL recognition file number E54214  
• Thin single in-line package  
• Glass passivated chip junction  
• High surge current capability  
• High case dielectric strength of 2500 V  
RMS  
~
~
~
• Solder dip 260 °C, 40 s  
~
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Case Style GSIB-5S  
TYPICAL APPLICATIONS  
General purpose use in ac-to-dc bridge full wave  
rectification for switching power supply, home  
appliances, office equipment, industrial automation  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
20 A  
MECHANICAL DATA  
Case: GSIB-5S  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
VRRM  
IFSM  
IR  
200 V to 800 V  
240 A  
10 µA  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
VF  
1.0 V  
TJ max.  
150 °C  
Polarity: As marked on body  
Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 inches-lbs) max.  
Recommended Torque: 5.7 cm-kg (5 inches-lbs)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
GSIB2020  
GSIB2040  
400  
GSIB2060  
600  
GSIB2080  
800  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
200  
V
V
V
VRMS  
140  
280  
420  
560  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
200  
400  
600  
800  
Maximum average forward  
rectified output current at  
TC = 87 °C (1)  
TA = 25 °C (2)  
20  
3.5  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current single sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
I2t  
240  
240  
A
Rating for fusing (t < 8.3 ms)  
A2s  
°C  
Operating junction and storage temperature  
range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Notes:  
(1) Unit case mounted on aluminum plate heatsink  
(2) Units mounted on P.C.B. without heatsink  
Document Number: 88645  
Revision: 31-Jan-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与GSIB2080N-LF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GSIB2080N-M3/45 VISHAY

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 		DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode
GSIB2505 GULFSEMI

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 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 25.0A
GSIB2510 GULFSEMI

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 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 25.0A
GSIB25100 GULFSEMI

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 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 25.0A
GSIB25100-E GULFSEMI

获取价格

 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 600V to 1000V Current: 25.0A
GSIB2520 VISHAY

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 		Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB2520 GULFSEMI

获取价格

 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 25.0A
GSIB2520/51 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN
GSIB2520/51-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2520/72-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge

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