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GSIB25100-E

更新时间： 2024-11-27 07:02:11

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SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 600V to 1000V Current: 25.0A

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GSIB25100-E 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	350 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

GSIB25100-E 数据手册

GSIB2560-E THRU GSIB25100-E

SINGLE PHASE GLASS

PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

Voltage: 600V to 1000V

Current: 25.0A

GSIB-5S

Features

Glass passivated chip junction

Ideal for printed circuit board

High surge current capability

High case dielectric strength

This series is UL listed under Recognized Component Index,

file number E185029

Halogen Free

Mechanical Data

Terminal: Plated leads solderable per MIL-STD 202E,

Method 208C

Case: UL-94 Class V-0 recognized Halogen Free Epoxy

Polarity: Polarity symbol marked on body

Mounting position: any

Dimensions in millimeters

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(single-phase, half -wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,

for capacitive load, derate current by 20%)

Symbol

GSIB2560-E

GSIB2580-E

GSIB25100-E

units

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Vrrm

Vrms

Vdc

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC blocking voltage

1000

25.0

3.5

Maximum average forward

Rectified output current at

Tc = 98℃(Note 1)

Ta = 25℃(Note 2)

If(av)

Peak forward surge current single sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

Maximum instantaneous forward voltage drop per

leg at 12.5A

Ifsm

350

1.0

I²t

500

Rating for fusing (t < 8.3ms)

A²Sec

10.0

350

22.0

1.0

Maximum DC reverse current at

rated DC blocking voltage per leg

Ta = 25°C

Ta = 125°C

µA

℃/W

℃

Maximum thermal resistance per leg

(Note2)

(Note1)

Rth(ja)

Rth(jc)

Tj, Tstg

-55 to +150

Operating junction and storage temperature range

Note:

1. Unit case mounted onAl plate heatsink

2. Unit case mounted on P.C.B. with heatsink

3. Recommended mounting position is to bolt down on heatsink with silicone thermal compound for maximum heat transfer with #6 screw

Rev.A1

www.gulfsemi.com

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与GSIB25100-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GSIB2520	VISHAY	获取价格	Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB2520	GULFSEMI	获取价格	SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 25.0A
GSIB2520/51	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN
GSIB2520/51-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2520/72-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB2520_08	VISHAY	获取价格	Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB2520_14	VISHAY	获取价格	Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB2520E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 P
GSIB2520-E3/45	VISHAY	获取价格	Diode Rectifier Bridge Single 200V 3.5A 4-Pin Case GSIB-5S Tube
GSIB2520-E3/51	VISHAY	获取价格	DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge

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