是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.7 |
最长访问时间: | 11 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 9437184 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.225 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS88036T-11.5 | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 11.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS88036T--11.5 | GSI |
获取价格 |
512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 8Mb Sync Burst SRAMs | |
GS88036T--11.5I | GSI |
获取价格 |
512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 8Mb Sync Burst SRAMs | |
GS88036T-11.5IT | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 11.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS88036T-11.5T | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 11.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS88036T-11I | GSI |
获取价格 |
512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 8Mb Sync Burst SRAMs | |
GS88036T-80 | GSI |
获取价格 |
512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 8Mb Sync Burst SRAMs | |
GS88036T-80T | GSI |
获取价格 |
暂无描述 | |
GS88036TT-11.5 | GSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 11.5ns, CMOS, PQFP100 | |
GS88036TT-11.5I | GSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 11.5ns, CMOS, PQFP100 |