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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.65 | 最长访问时间： | 7.5 ns |
| 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 18874368 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2.5,2.5/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 2.38 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.177 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GS8160F36T-7.5IT | GSI | 暂无描述 |
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| GS8160F36T-7.5T | GSI | Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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| GS8160F36T-7I | GSI | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS8160F36T-7IT | GSI | Cache SRAM, 512KX36, 7ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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| GS8160F36T-8.5 | GSI | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS8160F36T-8.5I | GSI | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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