Datasheet > GS81302D07GE-375IT

GS81302D07GE-375IT

更新时间： 2024-11-30 14:42:23

品牌	Logo	应用领域
GSI		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
33页	463K
描述
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GS81302D07GE-375IT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	17 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

GS81302D07GE-375IT 数据手册

浏览型号GS81302D07GE-375IT的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号GS81302D07GE-375IT的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号GS81302D07GE-375IT的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号GS81302D07GE-375IT的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号GS81302D07GE-375IT的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号GS81302D07GE-375IT的Datasheet PDF文件第7页

Preliminary

GS81302D07/10/19/37E-400/375/333/300

400 MHz–300 MHz

144Mb SigmaQuad-II+^TM

Burst of 4 SRAM

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

1.8 V V

1.8 V and 1.5 V I/O

Features

• 2.0 clock Latency

• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Dual Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 4 Read and Write

• On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte Write (BW),

and Clock (K, K) inputs

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

• Pipelined read operation

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• Data Valid Pin (QVLD) Support

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 15 mm x 17 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

Bottom View

165-Bump, 15 mm x 17 mm BGA

1 mm Bump Pitch, 11 x 15 Bump Array

SigmaQuad™ Family Overview

Clocking and Addressing Schemes

The GS81302D07/10/19/37E are built in compliance with the

SigmaQuad-II+ SRAM pinout standard for Separate I/O

synchronous SRAMs. They are 150,994,944-bit (144Mb)

SRAMs. The GS81302D07/10/19/37E SigmaQuad SRAMs

are just one element in a family of low power, low voltage

HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to

implement economical high performance networking systems.

The GS81302D07/10/19/37E SigmaQuad-II+ SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer.

Because Separate I/O SigmaQuad-II+ B4 RAMs always

transfer data in four packets, A0 and A1 are internally set to 0

for the first read or write transfer, and automatically

incremented by 1 for the next transfers. Because the LSBs are

tied off internally, the address field of a SigmaQuad-II+ B4

RAM is always two address pins less than the advertised index

depth (e.g., the 8M x 18 has a 2M addressable index).

Parameter Synopsis

-400

2.5 ns

0.45 ns

-375

-333

-300

3.3 ns

0.45 ns

tKHKH

tKHQV

2.66 ns

0.45 ns

3.0 ns

0.45 ns

Rev: 1.02b 6/2010

1/33

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...33

中文翻译

下载PDF

与GS81302D07GE-375IT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GS81302D07GE-375T	GSI	获取价格	DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
GS81302D07GE-400	GSI	获取价格	144Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM
GS81302D07GE-400I	GSI	获取价格	144Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM
GS81302D07GE-450	GSI	获取价格	144Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM
GS81302D07GE-450I	GSI	获取价格	144Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM
GS81302D08E-167I	GSI	获取价格	DDR SRAM, 16MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS81302D08E-200I	GSI	获取价格	DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS81302D08E-200IT	GSI	获取价格	DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS81302D08E-250	GSI	获取价格	165 BGA
GS81302D08E-250I	GSI	获取价格	165 BGA

与GS81302D07GE-375IT相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GS81302D07GE-375IT

GS81302D07GE-375IT 技术参数

GS81302D07GE-375IT 数据手册

与GS81302D07GE-375IT相关器件

与GS81302D07GE-375IT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GS81302D07GE-375IT

GS81302D07GE-375IT 技术参数

GS81302D07GE-375IT 数据手册

与GS81302D07GE-375IT相关器件

与GS81302D07GE-375IT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？