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GS81302D08GE-375IT

更新时间： 2024-12-01 14:33:43

品牌	Logo	应用领域
GSI		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	463K
描述
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

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GS81302D08GE-375IT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	17 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

GS81302D08GE-375IT 数据手册

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GS81302D08/09/18/36E-375/350/333/300/250

375 MHz–250 MHz

1.8 V V

1.8 V and 1.5 V I/O

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

144Mb SigmaQuad -II

Burst of 4 SRAM

Features

Clocking and Addressing Schemes

• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Dual Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 4 Read and Write

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

The GS81302D08/09/18/36E SigmaQuad-II SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer. The device also allows the user to manipulate the

output register clock inputs quasi independently with the C and

C clock inputs. C and C are also independent single-ended

clock inputs, not differential inputs. If the C clocks are tied

high, the K clocks are routed internally to fire the output

registers instead.

• Pipelined read operation

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• Pin-compatible with present 144 Mb devices

• 165-bump, 15 mm x 17 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

Each internal read and write operation in a SigmaQuad-II B4

RAM is four times wider than the device I/O bus. An input

data bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data

before it is simultaneously written to the memory array. An

output data multiplexer is used to capture the data produced

from a single memory array read and then route it to the

appropriate output drivers as needed. Therefore the address

field of a SigmaQuad-II B4 RAM is always two address pins

less than the advertised index depth (e.g., the 16M x 8 has a

4M addressable index).

SigmaQuad™ Family Overview

The GS81302D08/09/18/36E are built in compliance with the

SigmaQuad-II SRAM pinout standard for Separate I/O

synchronous SRAMs. They are 150,994,944-bit (144Mb)

SRAMs. The GS81302D08/09/18/36E SigmaQuad SRAMs

are just one element in a family of low power, low voltage

HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to

implement economical high performance networking systems.

Parameter Synopsis

-375

-350

2.86 ns

0.45 ns

-333

3.0 ns

0.45 ns

-300

3.3 ns

0.45 ns

-250

4.0 ns

0.45 ns

tKHKH

tKHQV

2.66 ns

0.45 ns

Rev: 1.04b 12/2011

1/34

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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GS81302D09E-200	GSI	获取价格	DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS81302D09E-200I	GSI	获取价格	DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS81302D09E-200IT	GSI	获取价格	DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
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