是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LBGA, | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.32 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 0.45 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
长度: | 17 mm | 内存密度: | 150994944 bit |
内存集成电路类型: | DDR SRAM | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16MX9 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.5 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS81302D09E-375 | GSI |
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165 BGA | |
GS81302D09E-375I | GSI |
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165 BGA | |
GS81302D09GE-200I | GSI |
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DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | |
GS81302D09GE-200T | GSI |
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DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | |
GS81302D09GE-250 | GSI |
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165 BGA | |
GS81302D09GE-250I | GSI |
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165 BGA | |
GS81302D09GE-300 | GSI |
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165 BGA | |
GS81302D09GE-300I | GSI |
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165 BGA | |
GS81302D09GE-333 | GSI |
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165 BGA | |
GS81302D09GE-333I | GSI |
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165 BGA |