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GS81302D07GE-450

更新时间： 2024-12-02 00:32:15

品牌	Logo	应用领域
GSI		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
32页	251K
描述
144Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM

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GS81302D07GE-450 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5.04	最长访问时间：	0.37 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	17 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15 mm

GS81302D07GE-450 数据手册

GS81302D07/10/19/37E-450/400/350/333/300

450 MHz–300 MHz

144Mb SigmaQuad-II+^TM

Burst of 4 SRAM

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

1.8 V V

1.8 V and 1.5 V I/O

are just one element in a family of low power, low voltage

HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to

implement economical high performance networking systems.

Features

• 2.0 clock Latency

• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Dual Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 4 Read and Write

• On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte Write (BW),

and Clock (K, K) inputs

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

Clocking and Addressing Schemes

The GS81302D07/10/19/37E SigmaQuad-II+ SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer.

• Pipelined read operation

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• Data Valid Pin (QVLD) Support

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 15 mm x 17 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

Each internal read and write operation in a SigmaQuad-II+ B4

RAM is four times wider than the device I/O bus. An input

data bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data

before it is simultaneously written to the memory array. An

output data multiplexer is used to capture the data produced

from a single memory array read and then route it to the

appropriate output drivers as needed. Therefore the address

field of a SigmaQuad-II+ B4 RAM is always two address pins

less than the advertised index depth (e.g., the 16M x 8 has a

4M addressable index).

SigmaQuad™ Family Overview

The GS81302D07/10/19/37E are built in compliance with the

SigmaQuad-II+ SRAM pinout standard for Separate I/O

synchronous SRAMs. They are 150,994,944-bit (144Mb)

SRAMs. The GS81302D07/10/19/37E SigmaQuad SRAMs

Parameter Synopsis

-450

2.2 ns

0.45 ns

-400

2.5 ns

0.45 ns

-350

2.86 ns

0.45 ns

-333

-300

3.3 ns

0.45 ns

tKHKH

tKHQV

3.0 ns

0.45 ns

Rev: 1.04 4/2011

1/31

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...32

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GS81302D07GE-450I	GSI	获取价格	144Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM
GS81302D08E-167I	GSI	获取价格	DDR SRAM, 16MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS81302D08E-200I	GSI	获取价格	DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS81302D08E-200IT	GSI	获取价格	DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS81302D08E-250	GSI	获取价格	165 BGA
GS81302D08E-250I	GSI	获取价格	165 BGA
GS81302D08E-300	GSI	获取价格	165 BGA
GS81302D08E-300I	GSI	获取价格	165 BGA
GS81302D08E-333	GSI	获取价格	165 BGA
GS81302D08E-333I	GSI	获取价格	165 BGA

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