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GS81302D07GE-333

更新时间： 2024-11-30 21:03:23

品牌	Logo	应用领域
GSI		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	395K
描述
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

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GS81302D07GE-333 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5.32	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e1
长度：	17 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.5 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15 mm	Base Number Matches：	1

GS81302D07GE-333 数据手册

GS81302D07/10/19/37E-450/400/350/333/300

450 MHz–300 MHz

144Mb SigmaQuad-II+^TM

Burst of 4 SRAM

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

1.8 V V

1.8 V and 1.5 V I/O

are just one element in a family of low power, low voltage

HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to

implement economical high performance networking systems.

Features

• 2.0 clock Latency

• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Dual Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 4 Read and Write

• On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte Write (BW),

and Clock (K, K) inputs

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

Clocking and Addressing Schemes

The GS81302D07/10/19/37E SigmaQuad-II+ SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer.

• Pipelined read operation

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• Data Valid Pin (QVLD) Support

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 15 mm x 17 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

Each internal read and write operation in a SigmaQuad-II+ B4

RAM is four times wider than the device I/O bus. An input

data bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data

before it is simultaneously written to the memory array. An

output data multiplexer is used to capture the data produced

from a single memory array read and then route it to the

appropriate output drivers as needed. Therefore the address

field of a SigmaQuad-II+ B4 RAM is always two address pins

less than the advertised index depth (e.g., the 16M x 8 has a

4M addressable index).

SigmaQuad™ Family Overview

The GS81302D07/10/19/37E are built in compliance with the

SigmaQuad-II+ SRAM pinout standard for Separate I/O

synchronous SRAMs. They are 150,994,944-bit (144Mb)

SRAMs. The GS81302D07/10/19/37E SigmaQuad SRAMs

Parameter Synopsis

-450

2.2 ns

0.45 ns

-400

2.5 ns

0.45 ns

-350

2.86 ns

0.45 ns

-333

-300

3.3 ns

0.45 ns

tKHKH

tKHQV

3.0 ns

0.45 ns

Rev: 1.04 4/2011

1/31

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...31

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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GS81302D07GE-333T	GSI	获取价格	DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
GS81302D07GE-350	GSI	获取价格	144Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM
GS81302D07GE-350I	GSI	获取价格	144Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM
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