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GS81302D06E-350IT

更新时间： 2024-11-30 14:42:23

品牌	Logo	应用领域
GSI		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	399K
描述
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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GS81302D06E-350IT 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
长度：	17 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	16MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.5 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

GS81302D06E-350IT 数据手册

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GS81302D06/11/20/38E-500/450/400/350

500 MHz–350 MHz

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

144Mb SigmaQuad-II+

Burst of 4 SRAM

1.8 V V

1.8 V or 1.5 V I/O

are just one element in a family of low power, low voltage

HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to

implement economical high performance networking systems.

Features

• 2.5 Clock Latency

• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Dual Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 4 Read and Write

• On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte Write (BW),

and Clock (K, K) intputs

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

Clocking and Addressing Schemes

The GS81302D06/11/20/38E SigmaQuad-II+ SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer.

• Pipelined read operation

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• Data Valid Pin (QVLD) Support

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 15 mm x 17 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

Each internal read and write operation in a SigmaQuad-II+ B4

RAM is four times wider than the device I/O bus. An input

data bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data

before it is simultaneously written to the memory array. An

output data multiplexer is used to capture the data produced

from a single memory array read and then route it to the

appropriate output drivers as needed. Therefore the address

field of a SigmaQuad-II+ B4 RAM is always two address pins

less than the advertised index depth (e.g., the 16M x 8 has a

4M addressable index).

SigmaQuad™ Family Overview

The GS81302D06/11/20/38E are built in compliance with the

SigmaQuad-II+ SRAM pinout standard for Separate I/O

synchronous SRAMs. They are 150,994,944-bit (144Mb)

SRAMs. The GS81302D06/11/20/38E SigmaQuad SRAMs

Parameter Synopsis

-500

2.0 ns

0.45 ns

-450

2.2 ns

0.45 ns

-400

2.5 ns

0.45 ns

-350

tKHKH

tKHQV

2.86 ns

0.45 ns

Rev: 1.05a 9/2013

1/31

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...31

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