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GS78116AB-10

更新时间： 2024-09-16 03:05:39
品牌 Logo 应用领域
GSI 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 675K
描述
512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM

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GS78116AB-10 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：119
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.2Is Samacsys：N
最长访问时间：10 ns其他特性：THIS PACKAGE IS ALSO AVAILABLE IN 2.19 MM SEATED HEIGHT.
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e0
长度：22 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：119字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.99 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：14 mmBase Number Matches：1

GS78116AB-10 数据手册

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GS78116AB  
BGA  
Commercial Temp  
Industrial Temp  
512K x 16  
8Mb Asynchronous SRAM  
8, 10, 12 ns  
3.3 V V  
DD  
Features  
• Fast access time: 8, 10, 12 ns  
• CMOS low power operation: 240/190/170 mA at minimum  
cycle time  
• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply  
• All inputs and outputs are TTL-compatible  
• Fully static operation  
• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C  
• 14 mm x 22 mm, 119-bump, 1.27 mm Pitch Ball Grid Array  
package  
Pin Descriptions  
Description  
Symbol  
A0 to A18  
DQ1 to DQ16  
CE  
Address input  
Data input/output  
Chip enable input  
Write enable input  
Output enable input  
+3.3 V power supply  
WE  
OE  
• RoHS-compliant package available  
V
DD  
V
Ground  
SS  
Description  
NC  
No connect  
The GS78116A is a high speed CMOS Static RAM organized  
as 524,288-words by 16-bits. Static design eliminates the need  
for external clocks or timing strobes. The GS78116A operates  
on a single 3.3 V power supply, and all inputs and outputs are  
TTL-compatible. The GS78116 is available in a  
14 mm x 22 mm BGA package.  
Block Diagram  
A0  
Row  
Decoder  
Memory Array  
Address  
Input  
Buffer  
Column  
Decoder  
A18  
CE  
WE  
OE  
I/O Buffer  
Control  
DQ16  
DQ1  
Rev: 1.04 5/2006  
1/11  
© 2003, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GS78116AB-10I GSI

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 		512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM
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