Datasheet > 存储 > SRAM> GS78116B-15

GS78116B-15

更新时间： 2024-11-23 03:53:11

品牌	Logo	应用领域
GSI		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	415K
描述
512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM

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GS78116B-15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50
针数：	119	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	15 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.4 mm
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

GS78116B-15 数据手册

GS78116B

BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

10, 12, 15 ns

512K x 16

3.3 V V

8Mb Asynchronous SRAM

Pin Descriptions

Features

Symbol

Description

• Fast access time: 10, 12, 15 ns

• CMOS low power operation: 300/250/220/180 mA at

minimum cycle time

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• All inputs and outputs are TTL-compatible

• Fully static operation

• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C

• 14 mm x 22 mm, 119-Bump, 1.27 mm Pitch Ball Grid Array

package

A0 to A18

DQ1 to DQ16

Address input

Data input/output

Chip enable input

Write enable input

Output enable input

+3.3 V power supply

V_DD

V_SS

Ground

Description

No connect

The GS78116 is a high speed CMOS static RAM organized as

524,288-words by 16-bits. Static design eliminates the need for

external clocks or timing strobes. The GS78116 operates on a

single 3.3 V power supply and all inputs and outputs are TTL-

compatible. The GS78116 is available in 14 mm x 22 mm

BGA package.

Block Diagram

Row

Decoder

Memory Array

Address

Input

Buffer

Column

Decoder

A18

I/O Buffer

Control

DQ16

DQ1

Rev: 1.02 9/2001

For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GS78116B-15I	GSI	获取价格	512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM
GS78116B-15IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 15ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
GS78116B-15T	GSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 15ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
GS78116GB-10	GSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
GS78116GB-10IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
GS78116GB-10T	GSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
GS78116GB-12	GSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
GS78116GB-12I	GSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
GS78116GB-12IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
GS78116GB-12T	GSI	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

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