是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, | 针数: | 119 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | Factory Lead Time: | 10 weeks |
风险等级: | 5.22 | 最长访问时间: | 10 ns |
其他特性: | THIS PACKAGE IS ALSO AVAILABLE IN 2.19 MM SEATED HEIGHT. | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 32 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 119 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX32 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.99 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
GS78132AGB-8I | GSI |
类似代替 |
256K x 32 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78132AGB-8 | GSI |
类似代替 |
256K x 32 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78132AB-10I | GSI |
类似代替 |
256K x 32 8Mb Asynchronous SRAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS78132AGB-10T | GSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FP | |
GS78132AGB-12 | GSI |
获取价格 |
256K x 32 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78132AGB-12I | GSI |
获取价格 |
256K x 32 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78132AGB-15I | GSI |
获取价格 |
256K x 32 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78132AGB-8 | GSI |
获取价格 |
256K x 32 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78132AGB-8I | GSI |
获取价格 |
256K x 32 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78132AGB-8T | GSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPB | |
GS78132B | GSI |
获取价格 |
256K x 32 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78132B-10 | GSI |
获取价格 |
256K x 32 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78132B-10I | GSI |
获取价格 |
256K x 32 8Mb Asynchronous SRAM |