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GN01087B

更新时间： 2024-11-25 23:54:03

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GaAsデバイス－ GaAs MMIC －ローノイズアンプ

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GN01087B 数据手册

GaAs MMIC

GN01087B

ガリウム砒素集積回路(強誘電体内臓)

Unit: mm

1.9±0.2

0.95

PHS用受信フロントエンドアンプ

■ 特ꢀ長

R0.2

•

LNA+Mix.+Lo Amp.を集積化したIC

低歪特性

+0.1

0.16

−0.06

+0.1

0.3

0.5

小型面実装パッケージ : ミニ型6端子

−0.05

+0.1

−0.05

1.45

2.9±0.2

■ 絶対最大定格 T_a=25°C

項目

電源電圧

記号

V_DD

I_DD

定格

単位

回路電流

dBm

°C

最大入力電力

許容損失

P_IN

1 : RF input

2 : GND

3 : Lo input

EIAJ : SC-74

4 : V_DD

5 : IF output

6 : V_DD

P_D

動作周囲温度

保存温度

T_opr

T_stg

−30 +90

−50 +150

Mini Type Package (6-pin)

°C

形名表示記号 : FD

■ 電気的特性 f=1895.15 MHz 1917.85 MHz, T_a=25 °C±3 °C

項目

記号

I_DD

条件

最小標準

最大

8.5

単位

回路電流

V_DD=3 V

4.5

6.0

変換利得 ^*

V_DD=3 V, f_IF=240 MHz

16.0

20.0

23.0

P_Lo=−15 dBm, P_RF=−35 dBm

1,2

雑音指数 1 ^*

SL_1-1

SL_1-2

V_DD=3 V, f_IF=240 MHz

4.0

−10

6.0

−6

P_Lo=−15 dBm, f_Lo=1666 MHz

1,2

入力リターンロス ^*

V_DD=3 V, f_RF=1906 MHz,

dBm

dBc

P_RF=−35 dBm

V_DD=3 V, f_RF=1666 MHz,

P_Lo=−15 dBm

1,2

イメージ抑圧比 ^*

V_DD=3 V, f_RF=1906 MHz

f_RF−f_IR=480 MHz, P_IR,P_RF=−35 dBm

出力3次相互変調波歪 ^*

OIP3

V_DD=3 V, f_RF1=1906 MHz

f_RF2=1907 MHz, f_Lo=1666 MHz

f_IM3=242 MHz or 239 MHz

1.5

5.7

dBm

注) * : 測定回路図参照

: 設計保証項目

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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