GN01094B

更新时间： 2024-11-25 22:32:51

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松下 - PANASONIC		射频和微波射频放大器微波放大器
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描述
GaAs IC (with built-in ferroelectric)

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GN01094B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP6,.08	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
构造：	COMPONENT	增益：	27 dB
最大输入功率 (CW)：	-5 dBm	JESD-609代码：	e0
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	90 °C
最低工作温度：	-30 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TSSOP6,.08	电源：	3 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	40 mA	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

GN01094B 数据手册

GaAs MMIC

GN01094B

GaAs IC (with built-in ferroelectric)

Unit : mm

+0.05

0.2±0.05

0.12

For the preamplifier of the transmitting section in a cellular phone

Other communication equipment

−0.02

■ Features

R0.2

•

Super miniature S-Mini 6-pin package (2125 size)

Transmitter amplifier : Wide dynamic range on low operation current

: Gain control function built-in

•

0.65

6 - 0° to 10°

2.0±0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a=25 °C

Parameter

Power supply voltage

Circuit current

Symbol

V_DD

I_DD

Ratings

Unit

0 to 3

1 : V_DD2

2 : V_REF

3 : V_DD1

4 : RF_IN

5 : GND

6 : V_AGC

Gate control voltage

Reference voltage

V_AGC

V_REF

P_IN

EIAJ : SC-88

S Mini Type Package (6-pin)

Max input power

−5

dBm

°C

Marking Symbol : KV

Allowable power dissipation

Operating ambient temperature

Storage temperature

P_D

150

T_opr

−30 to +90

−40 to +120

T_stg

°C

■ Electrical Characteristics V_DD1=V_DD2=V_REF=3.0 V, f=906 MHz, T_a=25 °C±3 °C

Parameter

Symbol

I_DD

Conditions

V_AGC=2.0 V, P_IN=−20 dBm

V_AGC=0.5 V, P_IN=−20 dBm

PG1−PG2

min

typ

max

Unit

Circuit current ^*

Power gain 1 ^*

Power gain 2 ^*

PG1

PG2

−14

−8

Dynamic range

Adjacent channel leakage

power (ACP) ^*

ACP

P_IN=−15 dBm, P_OUT=5 dBm

−54

−49

dBc

1, 2

±900 kHz Detuning, 30 kHz Bandwidth

Note)

: Refer to measurement circuit.

: Design-guaranteed items.

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