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GBU801-G

更新时间： 2024-11-18 07:18:03
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上华 - COMCHIP /
页数 文件大小 规格书
3页 80K
描述
SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers

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GBU801-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：2.35其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：100 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GBU801-G 数据手册

 浏览型号GBU801-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GBU801-G的Datasheet PDF文件第3页 
SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers  
GBU8005-G Thru. GBU810-G  
Reverse Voltage: 50 to 1000V  
Forward Current: 8.0A  
RoHS Device  
Features  
GBU  
-Rating to 1000V PRV  
0.437(11.1)  
0.430(10.9)  
-Surge overload rating - 200 amperes peak.  
-Ideal for printed circuit board  
0.139(3.53)  
0.133(3.37)  
0.874(22.2)  
0.860(21.8)  
0.126(3.2)*45°  
Chamfer  
0.161(4.1)  
0.134(3.4)  
-Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique  
0.232(5.90)  
0.213(5.40)  
0.752(19.1)  
0.720(18.3)  
0.401(10.2)  
0.073(1.85)  
0.057(1.45)  
0.392(9.80)  
-Plastic material has underwriters laboratory  
flammability classification 94V-0  
0.100(2.54)  
0.085(2.16)  
0.720(18.29)  
0.680(17.27)  
0.047(1.2)  
0.035(0.9)  
0.106(2.7)  
0.091(2.3)  
0.080(2.03)  
0.065(1.65)  
Mechanical Data  
0.022(0.56)  
0.018(0.46)  
0.210(5.3)  
0.190(4.8)  
-Polarit:As marked on Body  
0.210(5.3)  
0.190(4.8)  
-Mounting position:Any  
0.210(5.3)  
0.190(4.8)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
GBU  
8005-G  
GBU  
801-G  
GBU  
802-G  
GBU  
804-G  
GBU  
806-G  
GBU  
808-G  
GBU  
810-G  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
V
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
100  
1000  
8.0  
3.2  
Maximum Average Forward (With heatsink Note2)  
Rectified Current @Tc=100°C (without hestsink)  
I
(AV)  
A
A
Peak Forward Surage Current ,  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed On Rated Load  
IFSM  
200  
Maximum Forward Voltage Drop  
Per Bridge Element at 4.0A Peak  
1.1  
VF  
V
@TJ=25°C  
@TJ=125°C  
Maximum Reverse Current  
At Rate DC Blocking Voltage  
10.0  
500  
μA  
IR  
I2 T Rating for Fusing(t<8.3ms)  
I2t  
166  
60  
°C/W  
pF  
Typical Junction Capacitandce Per Element  
(Note 1)  
C
J
Typical Thermal Resistance  
RθJA  
2.2  
°C/W  
°C  
Operating Temperature Range  
-55 to +150  
-55 to +150  
TJ  
Storage Temperature Range  
Notes:  
TSTG  
°C  
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Device mounted on 75mm*75mm*1.6mm Cu plate heatsink.  
REV:A  
Page 1  
QW-BBR54  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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与GBU801-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBU8-01-LFR FRONTIER

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