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GBU802

更新时间: 2024-06-27 12:08:19
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页数 文件大小 规格书
3页 1356K
描述
GBU

GBU802 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSFM-T4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.75Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED最小击穿电压:200 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:200 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

GBU802 数据手册

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http://www.anbonsemi.com  
TEL:+86-755-23776891  
FAX:+86-755-81482182  
Document ID  
Issued Date  
Revised Date  
Revision  
Page.  
2023/08/25  
D
AS-3050035  
2015/09/08  
3

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