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GBU802G PDF预览

GBU802G

更新时间： 2024-01-03 01:45:56
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钜兴 - JUXING 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 1690K
描述
BRIDGE RECTIFIERS

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GBU802G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.62最小击穿电压：200 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：200 V表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

GBU802G 数据手册

 浏览型号GBU802G的Datasheet PDF文件第2页 
GBU8005G THRU GBU810G  
BRIDGE RECTIFIERS  
GBU  
FEATURES  
· UL Recognized File #E469616  
DimMin  
Max  
21.8  
· Glass passivated chip junction  
A
B
C
D
E
F
22.3  
4.1  
· Reliable low cost construction utilizing molded  
plastic technique  
A
B
3.5  
7.4  
K
M
7.9  
· Ideal for printed circuit board  
C
1.65  
2.25  
2.05  
1.02  
4.83  
2.16  
2.75  
2.3  
· Low forward voltage drop  
· Low reverse leakage current  
· High surge current capability  
D
L
J
+
~ ~  
-
G
H
1.27  
5.33  
E
F
J
K
L
17.5  
18.0  
N
MECHANICAL DATA  
Case: Molded plastic, GBU  
G
4.2 X 45°  
18.3  
3.30  
0.46  
0.76  
18.8  
3.56  
0.56  
1.0  
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-202,  
method 208 guaranteed  
P
M
N
P
H
Mounting position: Any  
Dimensions in millimeters  
Weight: 0.15ounce, 4.0gram  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at 25  
℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60HZ, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBU  
GBU  
GBU  
GBU  
GBU GBU  
GBU  
UNITS  
V
SYMBOL  
TYPE NUMBER  
8005G 801G 802G 804G 806G 808G 810G  
VRRM  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
VRWM  
VDC  
RMS Reverse Voltage  
V
A
VRMS  
280  
8.0  
Average Rectified Output Current (Note 1)@T =90  
C
IF(AV)  
℃
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
175  
A
@IF=4A  
Forward Voltage per element  
@IF=8A  
0.95  
1.0  
VFM  
IR  
V
A
Peak Reverse Current  
@T =25℃  
5.0  
500  
uA  
At Rated DC Blocking Voltage @T =125℃  
A
2
I t  
I2t  
A2s  
166  
Rating for fusing (t <8.3ms)  
Typical Junction Capacitance per leg(Note 2)  
Typical Thermal Resistance per leg (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
70  
pF  
CJ  
30.9  
7.3  
RθJA  
RθJL  
℃/W  
-55to+150  
TJ,TSTG  
℃
Note:1. Mounted on glass epoxy PC board with 1.3mm2 solder pad.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
3. Device mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.  
http://www.trr-jx.com  
version: 02  
12

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