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GBU801

更新时间： 2024-01-17 15:29:38

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描述
8 .0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers

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GBU801 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	2.35	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	100 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU801 数据手册

GBU8005 THRU GBU810

VOLTAGE 50V~ 1000V

Elektronische Bauelemente

8 .0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen-free.

GBU

.139(3.53)

.133(3.37)

3.2x3.2

5^O

.874(22.2)

.860(21.8)

CHAMFER

10^O

TYP

.160(4.1)

.140(3.5)

.752(19.1)

.232(5.9)

.224(5.7)

.720(18.3)

.083(2.1)

FEATURES

.067(1.7)

Surge Overload Rating -170 AMP Peak

Ldeal For Printed Circuit Board

.083(2.1)

.075(1.9)

.100(2.54)

.720(18.29)

.680(17.27)

.085(2.16)

Reliable Low Cost Construction Utilizing Molded

Plastic Technique

.080(2.03)

.068(1.65)

.022(0.56)

.018(0.46)

Plastic Material Has Underwrites Laboratory

Flammability Classification 94V-0

.210

.190

(5.33) (5.33)

.210

.190

(5.33)

Mounting Position: Any

(4.83)

(4.83) (4.83)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating 25^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Resistive or inductive load, 60Hz,

For capacitive load, derate current by 20%.

GBU

8005

GBU

801

100

GBU

802

200

140

200

GBU

804

400

280

400

8.0

GBU

806

600

420

600

GBU

808

800

560

800

GBU

810

1000

700

1000

TYPE NUMBER

SYMBOL

UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward (with heatsink Note2)

Rectified Current @ T_C=100 (without heatsink)

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single

half Sine-wave superimposed

V_RRM

V_RMS

V_DC

I_(AV)

3.2

I_FSM

170

on rated load (JEDEC method)

Maximum Forward Voltage at 4.0A

V_F

I_R

1.10

5.0

500

Maximum DC Reverse Current Ta=25^o

µA

at Rated DC Blocking Voltage Ta=125 ^o

I²t Rating for fusing (t<8.3ms)

Typical Junction Capacitance

per element (Note1)

I²t

C_J

A²S

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

2.2

- 55 ~ + 150

/ W

Rθ^JC

T_J

T_STG

^oC

NOTES:

1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2. Device mounted on 100mm x 100mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.

ht t p:/ /www. SeCoSGmbH. com/

Any changing of specification will not be informed individual

Page 1 of 2

01-Jun-2002 Rev. A

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与GBU801相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU8-01	FRONTIER	获取价格	8A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS
GBU801_1	TSC	获取价格	Single Phase 8.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU801_10	TSC	获取价格	Single Phase 8.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU801_15	TSC	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU801_15	CTC	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
GBU801A	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier
GBU801C	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
GBU801G	DYELEC	获取价格	SINGLE PHASE 8.0AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU801G	JUXING	获取价格	BRIDGE RECTIFIERS
GBU801-G	COMCHIP	获取价格	SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers

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