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GBJ5004-BP

更新时间： 2024-02-17 02:43:32

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	280K
描述
Bridge Rectifier Diode,

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技术参数
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GBJ5004-BP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	400 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	400 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	50 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	400 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GBJ5004-BP 数据手册

M C C

RATING AND CHARACTERISTIC CURVES

GBJ50005 thru GBJ5010

Micro Commercial Components

FIG1:Io-Tc Curve

FIG2:Surge Forward Current Capadility

400

300

150

sine wave

heatsink

sine wave R-load

with heatsink

8.3ms 8.3ms

1cycle

non-repetitive

Tj=25℃

90 100 110 120 130 140 150 160

100

Number of Cycles

Tc(℃)

FIG.3: TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS

FIG4:Typical Reverse Characteristics

100

Tj=150℃

100

1.0

20.0

10.0

2.0

1.0

Tj=25℃

TJ=25℃

Pulse width=300us

1% Duty Cycle

0.1

0.2

0.1

1.4

0.01

1.0

1.2

1.6

0.4

0.6

0.8

1.8

VF(V)

100

Voltage(%)

www.mccsemi.com

2 of 3

2016/02/16

Revision: B

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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