5秒后页面跳转
G20120Q1EC1SE3 PDF预览

G20120Q1EC1SE3

更新时间: 2024-09-20 13:34:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,

G20120Q1EC1SE3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.73
Is Samacsys:N应用:POWER
配置:COMPLEX二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE相数:3
Base Number Matches:1

G20120Q1EC1SE3 数据手册

  

与G20120Q1EC1SE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
G20120Q1EN1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120Q1EN1SE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120Q1FBC1SE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120Q1FN1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120Q1TB1SE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120Q1TBC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120Q1TC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120Q1TC1SE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120Q1TN1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
G20120Q1TN1SE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,