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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX6ASH2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252AA |
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| FX6ASH-2 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| FX6ASH3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252AA |
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| FX6ASJ03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252AA |
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| FX6ASJ-03 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX6ASJ-03 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FX6ASJ-03_06 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX6ASJ-03-T13 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX6ASJ06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252AA |
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| FX6ASJ-06 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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