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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.35 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.72 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX6ASJ-2-T13 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX6ASJ3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252AA |
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| FX6ASJ-3 | POWEREX |
获取价格 |
Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX6ASJ-3 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX6ASJ-3 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX6ASJ-3-T13 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX6KM03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 6A I(D) | SOT-186 |
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| FX6KM06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6A I(D) | SOT-186 |
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| FX6KM-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FX6KM2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | SOT-186 |
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