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FX6ASJ-2-T13

更新时间： 2024-11-06 07:00:51

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数	文件大小	规格书
7页	173K
描述
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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FX6ASJ-2-T13 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	MP-3A, SC-63, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.72 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FX6ASJ-2-T13 数据手册

FX6ASJ-2

High-Speed Switching Use

Pch Power MOS FET

REJ03G1438-0200

(Previous: MEJ02G0279-0101)

Rev.2.00

Aug 07, 2006

Features

•

Drive voltage : 4 V

_DSS: – 100 V

_{DS(ON) (max)}: 0.58 Ω

I_D: – 6 A

Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 80 ns

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZA-A

(Package name: MP-3A)

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

2, 4

Applications

Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

–100

±20

V_DS= 0 V

–6

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed)

Source current

I_DM

–24

I_DA

–6

L = 100 µH

I_S

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_SM

–24

P_D

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

0.32

Typical value

Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

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与FX6ASJ-2-T13相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FX6ASJ3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-252AA
FX6ASJ-3	POWEREX	获取价格	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX6ASJ-3	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX6ASJ-3	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX6ASJ-3-T13	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX6KM03	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SOT-186
FX6KM06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SOT-186
FX6KM-06	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FX6KM2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SOT-186
FX6KM-2	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S