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FS30VS-03

更新时间： 2024-09-10 18:45:47
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN

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FS30VS-03 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220S
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.046 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FS30VS-03 数据手册

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MITSUBISHI Nch POWER MOSFET  
FS30VS-03  
HIGH-SPEED SWITCHING USE  
FS30VS-03  
OUTLINE DRAWING  
Dimensions in mm  
10.5MAX.  
4.5  
r
1.3  
+0.3  
–0  
0
1
5
B
0.5  
0.8  
q
w e  
w r  
q GATE  
¡10V DRIVE  
w DRAIN  
e SOURCE  
r DRAIN  
q
¡VDSS .................................................................................. 30V  
¡rDS (ON) (MAX) .............................................................. 46mΩ  
¡ID ......................................................................................... 30A  
¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ............. 45ns  
e
TO-220S  
APPLICATION  
Motor control, Lamp control, Solenoid control  
DC-DC converter, etc.  
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Conditions  
Ratings  
Unit  
VGS = 0V  
VDS = 0V  
30  
V
V
±20  
30  
A
IDM  
IDA  
Drain current (Pulsed)  
120  
A
Avalanche drain current (Pulsed) L = 30µH  
Source current  
30  
30  
A
IS  
A
ISM  
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
120  
A
PD  
30  
W
°C  
Tch  
Tstg  
—
–55 ~ +150  
–55 ~ +150  
1.2  
Storage temperature  
°C  
g
Weight  
Typical value  
Feb.1999  
1234

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