Datasheet > FS10UMA-5A

FS10UMA-5A

更新时间： 2024-11-26 10:24:31

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	93K
描述
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FS10UMA-5A 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.52 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	65 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS10UMA-5A 数据手册

To all our customers

Regarding the change of names mentioned in the document, such as Mitsubishi

Electric and Mitsubishi XX, to Renesas Technology Corp.

The semiconductor operations of Hitachi and Mitsubishi Electric were transferred to Renesas

Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog

and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)

Accordingly, although Mitsubishi Electric, Mitsubishi Electric Corporation, Mitsubishi

Semiconductors, and other Mitsubishi brand names are mentioned in the document, these names

have in fact all been changed to Renesas Technology Corp. Thank you for your understanding.

Except for our corporate trademark, logo and corporate statement, no changes whatsoever have been

made to the contents of the document, and these changes do not constitute any alteration to the

contents of the document itself.

Note : Mitsubishi Electric will continue the business operations of high frequency & optical devices

and power devices.

Renesas Technology Corp.

Customer Support Dept.

April 1, 2003

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与FS10UMA-5A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS10UMH03	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-220AB
FS10UMH06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-220AB
FS10UMH2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-220AB
FS10UMH-2	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS10UMH3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-220AB
FS10UMH-3	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FS10UMH-3	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS10UMJ03	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-220AB
FS10UMJ06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-220AB
FS10UMJ2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-220AB

与FS10UMA-5A相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FS10UMA-5A

FS10UMA-5A 技术参数

FS10UMA-5A 数据手册

与FS10UMA-5A相关器件

与FS10UMA-5A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FS10UMA-5A

FS10UMA-5A 技术参数

FS10UMA-5A 数据手册

与FS10UMA-5A相关器件

与FS10UMA-5A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？